Được Star Semiconductor khuyến nghị - P6 SiC MOSFET: Được chế tạo để chuyển đổi năng lượng hiệu quả

Mô-đun công suất P6 SiC MOSFET là mô-đun công suất hiệu suất cao do Star Semiconductor giới thiệu, đã chứng minh hiệu suất tuyệt vời trong một số lĩnh vực, đặc biệt là trong các ứng dụng như xe điện, điện tử công suất công nghiệp và nguồn năng lượng tái tạo, có khả năng ứng dụng rộng rãi.

Mô tả sản phẩm

Các mô-đun nguồn P6 SiC MOSFET có sẵn ở hai cấp điện áp, 1200V và 750V, với các giá trị RDS(on) là 2,9mΩ và 2,2mΩ cho mô-đun 1200V và 1,7mΩ và 1,3mΩ cho mô-đun 750V. Các mô-đun này được thiết kế với nhiều chip SiC song song, với các điện trở cổng nối tiếp để đảm bảo cân bằng dòng điện giữa các chip. Các mô-đun được thiết kế với nhiều chip SiC song song, với các điện trở cổng nối tiếp để đảm bảo dòng điện được cân bằng trên các chip. Để tránh dao động, các mô-đun được thiết kế với độ tự cảm thấp để đảm bảo tính ổn định của hệ thống. Về dòng điện đầu ra, mô-đun 1200V có phạm vi dòng điện đầu ra từ 480A đến 640A, trong khi mô-đun 750V có phạm vi dòng điện đầu ra từ 485A đến 630A. Về quy trình sản xuất, chip SiC sử dụng phương pháp thiêu kết bột bạc hai mặt và liên kết dây đồng, không chỉ cải thiện độ tin cậy của kết nối mà còn tối ưu hóa hiệu suất điện. Ngoài ra, mô-đun sử dụng silicon nitride (Si3N4) làm chất nền cách điện và được trang bị bộ tản nhiệt PINFIN, đảm bảo tản nhiệt tuyệt vời và giảm hiệu quả nhiệt độ hoạt động. Đáng chú ý, mô-đun đã vượt qua chứng nhận độ tin cậy 175°C AQG-324 và có khả năng hoạt động ổn định lâu dài trong môi trường nhiệt độ mối nối lên tới 175°C.

Các kịch bản ứng dụng cho mô-đun nguồn MOSFET P6 SiC

Trong lĩnh vực xe điện, các mô-đun P6 SiC MOSFET được sử dụng rộng rãi trong các bộ biến tần truyền động chính, bộ sạc trên bo mạch và bộ chuyển đổi DC/DC. Hiệu suất cao của chúng cho phép chuyển đổi hiệu quả nguồn điện DC từ pin thành nguồn điện AC mà động cơ yêu cầu, do đó tăng phạm vi hoạt động. Đồng thời, khả năng chịu nhiệt độ cao của vật liệu SiC cho phép các mô-đun này hoạt động ổn định trong môi trường khắc nghiệt, thích ứng với các yêu cầu hoạt động ở nhiệt độ cao của xe điện. Ngoài ra, thiết kế mật độ công suất cao của SiC MOSFET cho phép giảm đáng kể kích thước và trọng lượng mô-đun, góp phần vào thiết kế nhẹ của xe điện.

Trong các ứng dụng điện tử công suất công nghiệp, các mô-đun P6 SiC MOSFET được sử dụng trong các nguồn điện chuyển mạch hiệu suất cao, bộ biến tần và bộ biến tần. Các mô-đun này hỗ trợ tần số chuyển mạch cao để kiểm soát hiệu quả việc khởi động, dừng và điều chỉnh tốc độ động cơ, do đó cải thiện hiệu suất và độ ổn định của hệ thống. Thiết kế độ tự cảm thấp của các mô-đun giúp tránh hiệu quả các vấn đề dao động và đảm bảo độ tin cậy của hệ thống cho nhiều loại thiết bị công nghiệp.

Trong năng lượng tái tạo, các mô-đun P6 SiC MOSFET đóng vai trò quan trọng trong các bộ biến tần năng lượng mặt trời và bộ chuyển đổi năng lượng gió. Đặc tính tổn thất năng lượng thấp của chúng cho phép tăng đáng kể hiệu suất chuyển đổi năng lượng, chuyển đổi hiệu quả năng lượng mặt trời và gió thành năng lượng có thể sử dụng. Điều này không chỉ cải thiện hiệu suất tổng thể của các hệ thống năng lượng tái tạo mà còn thúc đẩy phát triển thân thiện với môi trường và bền vững.

Bản tóm tắt

Tóm lại, mô-đun công suất P6 SiC MOSFET, với hiệu suất cao, khả năng chịu nhiệt độ cao và tổn thất thấp, đã trở thành một thành phần không thể thiếu và quan trọng trong lĩnh vực xe điện, điện tử công suất công nghiệp và năng lượng tái tạo, thúc đẩy sự tiến bộ và ứng dụng của công nghệ điện tử công suất hiện đại.

Là nhà cung cấp giải pháp bán dẫn điện hàng đầu, STAR Semiconductor Corporation tập trung vào nghiên cứu, phát triển, sản xuất và bán các mô-đun IGBT và SiC. Kể từ khi thành lập vào năm 2005, STAR Semiconductor đã nhanh chóng phát triển thành một công ty hàng đầu trong ngành với sức mạnh kỹ thuật và khả năng đổi mới tuyệt vời. Sản phẩm của chúng tôi được sử dụng rộng rãi trong các phương tiện năng lượng mới, điều khiển công nghiệp, năng lượng mới và các lĩnh vực khác, và cam kết thúc đẩy cải thiện hiệu quả năng lượng toàn cầu.

Những câu hỏi thường gặp và câu trả lời về mô-đun nguồn P6 SiC MOSFET như sau:

1. Tôi cần lưu ý điều gì khi sử dụng nhiều MOSFET SiC song song?

Cần phải xem xét việc tách điện áp đủ để ngăn ngừa sự mất kiểm soát nhiệt

Thời gian chuyển mạch phải phù hợp để tránh hư hỏng do điện áp đánh thủng

Ngưỡng điện áp thấp giúp đạt được hành vi chuyển mạch có tính đối xứng cao

2. Yêu cầu về độ tự cảm tín hiệu cổng đối với SiC MOSFET là gì?

Mặc dù không có hướng dẫn cụ thể, nhưng chiều dài của dây dẫn từ các đầu cuối cổng thiết bị đến các đầu cuối PC của mạch điều khiển cổng có tác động lớn nhất

Độ tự cảm của dây dẫn từ chân nguồn thiết bị đến mẫu đất của bo mạch cũng cần được xem xét

3. Đặc điểm của các thông số điện tích cổng của SiC MOSFET là gì?

Điện tích cổng thấp (QG) làm giảm tổn thất chuyển mạch và mức tiêu thụ điện năng của ổ cổng

Tỷ lệ giữa điện tích cổng rò rỉ (QGD) và điện tích nguồn cổng (QGS) cũng quan trọng và QGD phải thấp hơn QGS để đảm bảo tính ổn định.

4. Đặc điểm của điện áp rơi thuận của SiC MOSFET là gì?

Khoảng cách dải của SiC gấp 3 lần Si, dẫn đến điện áp tăng của diode pn tăng khoảng 3V

Tuy nhiên, trong mạch cầu, tổn thất trạng thái ổn định đáng kể không phải là vấn đề vì tín hiệu cổng BẬT có thể được đưa vào tại thời điểm chuyển mạch

5. Có những thay đổi gì khi sử dụng MOSFET SiC so với IGBT Si?

Có thể đạt được hoạt động tần số cao, giảm kích thước và trọng lượng thiết bị, đồng thời cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng

Giảm 65% tổn thất khi tắt và tổn thất khi bật

Không cần diode ngoài, giúp giảm độ tự cảm ký sinh và cải thiện độ tin cậy.

Tuyên bố: trang này cung cấp thông tin chỉ để tham khảo, chúng tôi không đảm bảo tính chính xác và toàn vẹn của thông tin, cũng không chịu trách nhiệm cho bất kỳ thiệt hại hoặc thiệt hại do sử dụng thông tin này.